光刻胶作为掩膜材料在半导体加工工艺中起到了图形复制和传递的作用，而一旦刻蚀工艺（或者其他工艺）完成，光刻胶的使命也就完成，必须将其完全清除干净，这一工序就是去胶。

去胶分为湿法去胶和干法去胶。

1.湿法去胶

湿法去胶是将带有光刻胶的晶圆片浸泡在适当的有机溶剂中溶解或者分解光刻胶，将晶圆表面的光刻胶去除。在湿法刻蚀前，光刻胶的表面都经过了表面加固处理，这使得光刻胶在大部分去胶液中都不溶解或者很难完全溶解。这种情况下，在进行湿法去胶前还需要用等离子体去掉最上面的一层胶。湿法去胶的主要缺点是去胶周期长，容易引进无机杂质，并且操作麻烦。

2.干法去胶

干法去胶主要是等离子去胶，通常采用等离子体氧化或分解等方式去除光刻胶。

等离子去胶机，是广泛应用于去胶的设备。去胶机通过氧原子和光刻胶在等离子体环境中发生反应来去除光刻胶。光刻胶的基本成分是碳氢聚合物，氧原子可以很快地和光刻胶反应生成一氧化碳、二氧化碳和水等，这些生成物会被真空系统抽走。干法去胶既不需要化学试剂，也不需要加温。

干法去胶工艺中必须

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