超纯水要求尽可能去除水中的离子、DO（溶解氧）、TOC（总有机碳）等杂质，使其成分无限趋近于%的水分子，25℃时理论电阻率可达18.3MΩ·cm[1]，以应用于对水质纯度要求极高的场合。在半导体产品生产过程中，超纯水主要用于清洗各种产品，其水质对产品质量、性能会产生重大影响，稳定的超纯水制备系统成为半导体产线不可或缺的配套系统之一。

预处理系统预处理系统工艺流程为：原水池→原水泵→换热器→多介质过滤器→过滤水池。

原水池采用钢砼结构、内部FRP防腐，用于储存自来水原水，在紧急停水情况下，其储水量可满足一定时间的系统用水需求。原水经原水泵输送至换热器进行温度调节，使原水水温稳定在（23±1）℃，投入适当比例的絮凝剂和杀菌剂后，进入MMF去除悬浮固体（SS），产水进入过滤水池。

2B3T系统工艺流程为：过滤水池→过滤水泵→活性炭过滤器（以下简称“ACF”）→阳床→脱碳塔→脱碳水池→脱碳水泵→阴床→去离子水池（以下简称“DIW水池”）。过滤水（含DIR回收水）经过滤水泵输送至ACF，活性炭可吸附水中的胶体、余氯和TOC，防止树脂被氧化和污染。ACF产水进入阳床，阳树脂吸附水中的阳离子，同时释放H+，使pH降低，碳酸分解为CO2和水，在脱碳塔中经风机进行吹脱、去除。在阴床中，阴离子与阴树脂发生离子交换，释放的OH-与水中H+反应生成水，产水进入DIW水池。DIW水池（钢砼结构、内部FRP防腐）用于接收、存储后道RO系统产生的RO浓水。

RO系统工艺流程为：DIW水池→DIW水泵→UV→保安过滤器→RO高压泵→RO→RO水池。DIW（含RO浓水）通过2B经RO供水泵输送至UV进行紫外杀菌，防止RO系统细菌滋生，经保安过滤器（过滤精度5μm）过滤、降低SDI，由RO高压泵增压后，进入RO系统进一步去除了离子和TOC。RO系统为2段式设计，回收率可达90%，出水进入RO水池（钢砼结构、内部FRP防腐），水池做氮封处理。

混床系统工艺流程为：RO水池→TOC-UV→MB送水泵→混床（以下简称“MB”）→脱气膜前过滤器→脱气膜1→UPW水箱。RO水池一路出水经RO供水泵输送至用水点（50m3/h），另一路经MB送水泵输送至TOC-UV，水中有机物在nm紫外线作用下分解，然后在MB中分别与阴、阳树脂进行离子交换，进一步去除水中的阴、阳离子，出水电阻率可达18MΩ·cm以上。MB出水经脱气膜前过滤器（精度0.45μm）过滤后进入脱气膜，去除水中的DO，产水进入UPW水箱（FRP水箱），对水箱做氮封处理。

抛光系统工艺流程为：UPW水箱→循环水泵→换热器→TOC-UV2→纯水增压泵→抛光混床→脱气膜2→终端超滤（以下简称“UF”）→用水点。UPW水箱出水经循环水泵输送至换热器进行温度调节，使水温稳定在（23±1）℃，然后进入TOC-UV2进一步降低水中的TOC。产水经纯水增压泵输送至抛光混床，在抛光树脂作用下进一步去除水中的阴、阳离子后，由脱气膜进一步去除水中的DO，产水经UF过滤后输送至用水点。

TulsimerMB-UP为阶核子级抛光树脂,是由核子级强酸型阳离子TulsimerT-46Li及核子级强碱型阴离子TulsimerA-33OH以1:2体积比的剂量比例,预先混合的混床级离子交换树脂,专门提供给超纯水系统抛光用，具有的交换容量及优越的物理特性。无需再生，不影响产水运行，使用寿命长，品质优等特点，是专门提供给超纯水系统抛光用树脂。

适合用于电子产业，生产半导体及映像管产业，实验室，激光，精仪器，医用行业等需要超纯水的行业，以及核电厂等使用。在全球有数十家核电厂使用此款抛光树脂。